Samsung, 2024 Yılında 300 Katmanlı NAND Üretimine Başlıyor
Samsung Electronics, gelecek yıl üretimine başlayacağı 9. Kuşak 3D-NAND bellekleri için çift yığınlı mimari kullanmaya hazırlanıyor. Bir öbür bellek üreticisi SK Hynix, 2025’in birinci yarısında seri üretime geçtiğinde 321 katmanlı 3D NAND yongalarını oluşturmak için üç NAND dizisi kullanmayı planlıyordu. Samsung ise üretim farklılıklarıyla rakibinden ayrışıyor.
Samsung’un 300’den fazla katmana sahip 9. Jenerasyon V-NAND çipleri, birinci sefer 2020 yılında 7. kuşak 176 katmanlı 3D NAND belleklerle birlikte kullanılmaya başlanan çift yığın tekniğine dayanacak. Pekala bu süreç nasıl işliyordu? 300 mm’lik yonga plakası üzerinde bir 3D NAND dizisi üretiliyordu ve akabinde birinci dizinin üzerine diğer bir yığın daha dahil ediliyordu. Şirket görünüşe nazaran 300 katmana ulaşmak için tıpkı formülü kullanmaya devam edecek. 300 katmanlı 3D NAND ile birlikte depolama yoğunluğu artacak, böylece SSD üreticileri yüksek kapasiteli SSD’leri daha düşük maliyetlerle üretebilecek.
Buna rağmen SK Hynix, üçlü yığın yaklaşımı kullanarak 321 katmanlı 3D NAND üretimine 2025 yılında başlama niyetini açıkladı. Samsung’unkinden farklı olan bu yaklaşımla birlikte üç farklı 3D NAND katman seti oluşturulacak. Böylece ham husus kullanımı ve kullanılan wafer sayısı da artmış oluyor.
Sızdırılan bilgilere nazaran Samsung, 10. Jenerasyon 3D NAND teknolojileriyle 430 katmana kadar çıkmayı planlıyor. Teknoloji devi 430 katmana çıkmak için tıpkı SK Hynix üzere üç yığınlı üretim tekniğinden faydalanacak.
